失效分析主要針對特定元件失效進行，按照外觀檢查-截面分析-光景分析-SEM/EDS順序進行。 >

適用于陶瓷、礦物、半導體等材料的TEM最終樣品減薄制備工作； >

觀察生物體的微細結構，需把樣品制備成40-50nm厚度，可用于透射電鏡的制樣 >

可用于IC芯片電路修改、截面制樣、透射電鏡樣品制備、材料鑒定 >

搭配溫控液氮冷卻臺，廣泛適用于金屬、非金屬、高分子材料在常溫、低溫下的離子束切割、拋光要求，可用于截面SEM、EBSD拋光制樣、FIB導電鍍膜樣品制備等； >

對嵌入異物、斑點、油狀物、噴霜等異常物質進行定性分析，由此找尋污染源或配方不相容者，改善產品質量。 >